MRF1090MB - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF1090MB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF1090MB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1215 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: 332A-03

 Аналоги (замена) для MRF1090MB

 

MRF1090MB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  motorola
mrf1090ma mrf1090mb.pdfpdf_icon

MRF1090MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1090MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1090MA Power Transistors MRF1090MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak 90 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 8.4 dB MICROWAVE

 ..2. Size:180K  hgsemi
mrf1090mb.pdfpdf_icon

MRF1090MB

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1090MB Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak Minimum Gain = 8.4 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10 1 VSWR Industry Sta

 6.1. Size:106K  motorola
mrf1090m.pdfpdf_icon

MRF1090MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1090MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1090MA Power Transistors Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak 90 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 8.4 dB MICROWAVE POWER

 6.2. Size:104K  motorola
mrf1090marev8.pdfpdf_icon

MRF1090MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1090MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1090MA Power Transistors MRF1090MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak 90 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 8.4 dB MICROWAVE

Другие транзисторы... MRF1004MB , MRF10120 , MRF10150 , MRF1015MA , MRF1015MB , MRF10350 , MRF10502 , MRF1090MA , 2SC2655 , MRF1150MA , MRF1150MB , MRF16006 , MRF1946 , MRF1946A , MRF235 , MRF240 , MRF247 .

 

 
Back to Top

 


 
.