MRF1090MB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF1090MB  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1215 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 332A-03

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF1090MB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1090MB даташит

 ..1. Size:104K  motorola
 mrf1090ma mrf1090mb.pdf pdf_icon

MRF1090MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1090MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1090MA Power Transistors MRF1090MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak 90 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 8.4 dB MICROWAVE

 ..2. Size:180K  hgsemi
 mrf1090mb.pdf pdf_icon

MRF1090MB

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1090MB Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak Minimum Gain = 8.4 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10 1 VSWR Industry Sta

 6.1. Size:106K  motorola
 mrf1090m.pdf pdf_icon

MRF1090MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1090MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1090MA Power Transistors Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak 90 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 8.4 dB MICROWAVE POWER

 6.2. Size:104K  motorola
 mrf1090marev8.pdf pdf_icon

MRF1090MB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1090MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1090MA Power Transistors MRF1090MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 90 Watts Peak 90 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 8.4 dB MICROWAVE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF1004MB, MRF10120, MRF10150, MRF1015MA, MRF1015MB, MRF10350, MRF10502, MRF1090MA, 2SC2655, MRF1150MA, MRF1150MB, MRF16006, MRF1946, MRF1946A, MRF235, MRF240, MRF247