MRF329 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF329  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 270 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 333-04

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF329

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF329 даташит

 ..1. Size:107K  motorola
mrf329.pdfpdf_icon

MRF329

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF329/D The RF Line NPN Silicon MRF329 RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 100 Watts 100 W, 100 to 500 MHz Minimum Gain = 7.0 dB CONTROLLED Q

 ..2. Size:80K  njs
mrf329.pdfpdf_icon

MRF329

 0.1. Size:107K  motorola
mrf329re.pdfpdf_icon

MRF329

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF329/D The RF Line NPN Silicon MRF329 RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 100 Watts 100 W, 100 to 500 MHz Minimum Gain = 7.0 dB CONTROLLED Q

 9.1. Size:110K  motorola
mrf323re.pdfpdf_icon

MRF329

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF323/D The RF Line NPN Silicon MRF323 RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large signal driver and predriver amplifier stages in the 200 500 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V Output Power = 20 Watts 20 W, 400 MHz Power Gain = 10 dB Min RF POWER Efficiency = 50% M

Другие транзисторы: MRF240, MRF247, MRF260, MRF261, MRF2628, MRF264, MRF314A, MRF315A, BC639, MRF392, MRF393, MRF410, MRF412, MRF427A, MRF429, MRF448, MRF449A