Биполярный транзистор MRF448 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF448
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT121
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF448 Datasheet (PDF)
mrf448.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF448/DThe RF LineNPN SiliconMRF448RF Power TransistorDesigned primarily for highvoltage applications as a highpower linearamplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Specified 50 Volt, 30 MHz CharacteristicsOutput Power = 250 W250 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWER
mrf448.pdf

MRF448 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 250W, 30MHz, 50V Designed primarily for highvoltage applications as a highpower Product Image linear amplifiers from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Specified 50 V, 30 MHz characteristics Output power = 250 W Minimum gain = 12 dB Efficiency = 45
mrf448.pdf

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF448www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF448 Description: MRF448 is designed primarily for highvoltage applications as a highpower linear amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Features: Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics: Output Power = 250 W, Minimum Gain = 1, Efficiency = 45% Maximum Rat
mrf448re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF448/DThe RF LineNPN SiliconMRF448RF Power TransistorDesigned primarily for highvoltage applications as a highpower linearamplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Specified 50 Volt, 30 MHz CharacteristicsOutput Power = 250 W250 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWER
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BFG520-X | 3DD04T | SD1134-05 | MT3S111TU | BD505-1 | HED880
History: BFG520-X | 3DD04T | SD1134-05 | MT3S111TU | BD505-1 | HED880



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet