MRF448 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF448 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: SOT121
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MRF448
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF448 даташит
mrf448.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF448/D The RF Line NPN Silicon MRF448 RF Power Transistor Designed primarily for high voltage applications as a high power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 250 W 250 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER
mrf448.pdf
MRF448 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 250W, 30MHz, 50V Designed primarily for high voltage applications as a high power Product Image linear amplifiers from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Specified 50 V, 30 MHz characteristics Output power = 250 W Minimum gain = 12 dB Efficiency = 45
mrf448.pdf
ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF448 www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF448 Description MRF448 is designed primarily for high voltage applications as a high power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Features Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 250 W, Minimum Gain = 1, Efficiency = 45% Maximum Rat
mrf448re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF448/D The RF Line NPN Silicon MRF448 RF Power Transistor Designed primarily for high voltage applications as a high power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment. Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 250 W 250 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER
Другие транзисторы: MRF315A, MRF329, MRF392, MRF393, MRF410, MRF412, MRF427A, MRF429, 2SC828, MRF449A, MRF450A, MRF453A, MRF466, MRF477, MRF479, MRF486, MRF492
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet









