MRF581A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF581A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF581A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF581A даташит

 ..1. Size:222K  motorola
 mrf581 mrf581a mrf5812.pdf pdf_icon

MRF581A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF581/D The RF Line MRF581 NPN Silicon MRF581A High-Frequency Transistors MRF5812, R1, R2 Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation Distortion IC = 200 mA High Gain LOW NOISE State of the Art Technology HIGH FREQUENCY Fine L

 ..2. Size:93K  njs
 mrf581a.pdf pdf_icon

MRF581A

 8.1. Size:155K  motorola
 mrf5811lt1.pdf pdf_icon

MRF581A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5811LT1/D The RF Line MRF5811LT1 NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISE HIGH FREQUENCY Low Intermodulation Distortion TRANSISTOR High Gain NPN SILICON State of the Art Technology

 8.2. Size:222K  motorola
 mrf581re.pdf pdf_icon

MRF581A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF581/D The RF Line MRF581 NPN Silicon MRF581A High-Frequency Transistors MRF5812, R1, R2 Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation Distortion IC = 200 mA High Gain LOW NOISE State of the Art Technology HIGH FREQUENCY Fine L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF492, MRF492A, MRF497, MRF544, MRF545, MRF555, MRF572, MRF581, TIP41C, MRF587, MRF630, MRF650, MRF652, MRF652S, MRF653, MRF654, MRF658