Биполярный транзистор MRF581A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF581A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: TO50
Аналог (замена) для MRF581A
MRF581A Datasheet (PDF)
mrf581 mrf581a mrf5812.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L
mrf5811lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5811LT1/DThe RF LineMRF5811LT1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorDesigned for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISEHIGHFREQUENCY Low Intermodulation DistortionTRANSISTOR High GainNPN SILICON StateoftheArt Technology
mrf581re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L
Другие транзисторы... MRF492 , MRF492A , MRF497 , MRF544 , MRF545 , MRF555 , MRF572 , MRF581 , C945 , MRF587 , MRF630 , MRF650 , MRF652 , MRF652S , MRF653 , MRF654 , MRF658 .
History: MRF587 | UN2217S | SD1272-2 | BC847AW
History: MRF587 | UN2217S | SD1272-2 | BC847AW



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n