Биполярный транзистор MRF897R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF897R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: KT81
MRF897R Datasheet (PDF)
mrf897r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF897R/DThe RF LineNPN SiliconMRF897RRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics30 W, 900 MHzOutput Power = 30 W
mrf897rr.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF897R/DThe RF LineNPN SiliconMRF897RRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics30 W, 900 MHzOutput Power = 30 W
mrf897re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF897/DThe RF LineNPN SiliconMRF897RF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics30 W, 900 MHzOutput Power = 30 Wat
mrf897.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF897/DThe RF LineNPN SiliconMRF897RF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, classAB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics30 W, 900 MHzOutput Power = 30 Wat
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050