MRF897R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF897R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: KT81

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF897R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF897R даташит

 ..1. Size:172K  motorola
mrf897r.pdfpdf_icon

MRF897R

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF897R/D The RF Line NPN Silicon MRF897R RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics 30 W, 900 MHz Output Power = 30 W

 ..2. Size:107K  njs
mrf897r.pdfpdf_icon

MRF897R

 0.1. Size:172K  motorola
mrf897rr.pdfpdf_icon

MRF897R

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF897R/D The RF Line NPN Silicon MRF897R RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics 30 W, 900 MHz Output Power = 30 W

 0.2. Size:151K  motorola
mrf897re.pdfpdf_icon

MRF897R

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF897/D The RF Line NPN Silicon MRF897 RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 970 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics 30 W, 900 MHz Output Power = 30 Wat

Другие транзисторы: MRF658, MRF839, MRF839F, MRF857S, MRF891, MRF891S, MRF894, MRF897, A1015, MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, MS1329, MS1501, MS1649