MS1227 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS1227  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 135 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT123

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MS1227

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MS1227 даташит

 ..1. Size:112K  apt
 ms1227.pdf pdf_icon

MS1227

MS1227 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS Features 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliabil

 9.1. Size:353K  hgsemi
 ms1226.pdf pdf_icon

MS1227

HG RF POWER TRANSISTOR MS1226 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes

Другие транзисторы: MRF891, MRF891S, MRF894, MRF897, MRF897R, MRF899, MRFC572, MS1226, D882, MS1261, MS1329, MS1501, MS1649, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H