Биполярный транзистор MS1227 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MS1227
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 135 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT123
MS1227 Datasheet (PDF)
ms1227.pdf
MS1227RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSFeatures 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATIONDESCRIPTION:DESCRIPTION:The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designedprimarily for SSB communications. This device utilizes emitterballasting for improved ruggedness and reliabil
ms1226.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMS1226SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeaturesFeatures 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistordesigned primarily for SSB communications. This deviceutilizes
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050