Справочник транзисторов. MS1227

 

Биполярный транзистор MS1227 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MS1227
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 135 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT123
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MS1227 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  apt
 ms1227.pdf pdf_icon

MS1227

MS1227RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSFeatures 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATIONDESCRIPTION:DESCRIPTION:The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designedprimarily for SSB communications. This device utilizes emitterballasting for improved ruggedness and reliabil

 9.1. Size:353K  hgsemi
 ms1226.pdf pdf_icon

MS1227

HG RF POWER TRANSISTORMS1226SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeaturesFeatures 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistordesigned primarily for SSB communications. This deviceutilizes

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | 3CK05 | MP4101 | MPQ2904 | EMD5DXV6

 

 
Back to Top

 


 
.