MS1501 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS1501  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M122

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MS1501

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MS1501 даташит

 ..1. Size:305K  hgsemi
 ms1501.pdf pdf_icon

MS1501

HG RF POWER TRANSISTOR MS1501 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the

 9.1. Size:150K  international rectifier
 irlms1503pbf.pdf pdf_icon

MS1501

PD - 95762 IRLMS1503PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 30V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.10 Description Top View Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per

 9.2. Size:108K  international rectifier
 irlms1503.pdf pdf_icon

MS1501

PD - 9.1508C IRLMS1503 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package Style VDSS = 30V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET RDS(on) = 0.10 Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged

 9.3. Size:192K  international rectifier
 irlms1503pbf-1.pdf pdf_icon

MS1501

IRLMS1503PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V A 1 6 D D RDS(on) max 0.10 (@V = 10V) GS 2 5 D D RDS(on) max 0.20 (@V = 4.5V) GS 3 4 G S Qg (typical) 6.4 nC Micro6 ID Top View 3.2 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF897, MRF897R, MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, MS1329, 13009, MS1649, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, MSA1162GT1G, MSB1218A-RT1