Биполярный транзистор MSG36E31 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MSG36E31
Маркировка: 7D
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.13 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 19000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SSSMINI6F1
Аналог (замена) для MSG36E31
MSG36E31 Datasheet (PDF)
msg36e31.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).TransistorsMSG36E31SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifierUnit: mm Features Compatible between high breakdown voltage and high cut-off frequency0.12+0.03 -0.026 5 4 Low noise, high-gain amplification Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) 0 to 0.02 Reduction
msg36c42.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MSG36C42SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifier Features Package Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency Code Low-noise, high-gain amplification SSSMini6-F1 Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) Pin Name SSSMini type package,
msg36d42.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Transistors MSG36D42SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifierUnit: mm0.12+0.03 Features-0.026 5 4 Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency0 to 0.02 Low-noise, high-gain amplification Two elements incorporated into one package (Each
Другие транзисторы... MSD42T1G , MSD42WT1G , MSD601-R , MSD601-RT1G , MSD602-RT1 , MSD602-RT1G , MSG36C42 , MSG36D42 , BC558 , MSG36E41 , MSG43001 , MSG43002 , MSG43003 , MSG43004 , MSG430C4 , MSG430D4 , MT3S106FS .
History: FA1L3Z-L36
History: FA1L3Z-L36



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet