Справочник транзисторов. MT3S113P

 

Биполярный транзистор MT3S113P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MT3S113P
   Маркировка: R7
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.3 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0.6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7700 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: 2-5K1A

 Аналоги (замена) для MT3S113P

 

 

MT3S113P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  toshiba
 mt3s113p.pdf

MT3S113P MT3S113P

MT3S113P TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF = 1.15dB (typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2 = 10.5dB (typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 Pw-Mini JEDEC -JEITA SC-62Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) TOSHIBA 2-5K1A Weight : 0.05 g

 7.1. Size:201K  toshiba
 mt3s113.pdf

MT3S113P MT3S113P

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

 7.2. Size:203K  toshiba
 mt3s113 .pdf

MT3S113P MT3S113P

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

 7.3. Size:176K  toshiba
 mt3s113tu.pdf

MT3S113P MT3S113P

MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm2.10.11.70.1FEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain:|S21e|2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2 3 Marking 3 1. 1. Base2. 2. EmitterR 7 3. 3

 7.4. Size:178K  toshiba
 mt3s113tu .pdf

MT3S113P MT3S113P

MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm2.10.11.70.1FEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain:|S21e|2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2 3 Marking 3 1. 1. Base2. 2. EmitterR 7 3. 3

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top