MP42001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP42001  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.13 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: MICRO-X

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MP42001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP42001 даташит

 ..1. Size:124K  m-pulse
mp42001.pdfpdf_icon

MP42001

Silicon Bipolar Low Noise Microwave Transistors MP42001 Case Styles Features Low Noise Figure (.8dB Typical @ 60 MHz) Large Dynamic Range (+25dBm @ 1Db Compression Point) Gold Metalization Hermetic and Surface Mount Packages Available Can be Screened to JANTX, JANTXV Equivalent Levels Low 1/f Noise (1.0dB Typical @ 10 KHz) Description This series o

 9.1. Size:115K  philips
pmp4201v g y.pdfpdf_icon

MP42001

PMP4201V; PMP4201G; PMP4201Y NPN/NPN matched double transistors Rev. 04 28 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors in the SOT666 and SOT363 (SC-88) packages are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package NPN/NPN

 9.2. Size:192K  toshiba
mp4209.pdfpdf_icon

MP42001

MP4209 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon N Channel MOS Type (Four L2- -MOSV in One) MP4209 Industrial Applications High Power, High Speed Switching Applications Unit mm For Printer Head Pin Driver and Pulse Motor Driver For Solenoid Driver 4-V gate drivability Small package by full molding (SIP 10 pins) High drain power dissipation (4-device operation) P

 9.3. Size:186K  toshiba
mp4208 .pdfpdf_icon

MP42001

MP4208 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon P Channel MOS Type (Four L2- -MOSV in One) MP4208 Industrial Applications High Power High Speed Switching Applications Unit mm Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching -4 V gate drive available Small package by full molding (SIP 10 pin) High drain power dissipation (4-device operation) PT = 4 W

Другие транзисторы: MP4013, MP4015, MP4020, MP4021, MP4024, MP4025, MP4101, MP4104, S9018, MP42141, MP4301, MP4303, MP4304, MP4305, MP4502, MP4503, MP4506