Биполярный транзистор MP42001 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MP42001
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.13 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: MICRO-X
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MP42001 Datasheet (PDF)
mp42001.pdf

Silicon Bipolar Low Noise Microwave Transistors MP42001Case Styles Features Low Noise Figure (.8dB Typical @ 60 MHz) Large Dynamic Range (+25dBm @ 1Db Compression Point) Gold Metalization Hermetic and Surface Mount Packages Available Can be Screened to JANTX, JANTXV Equivalent Levels Low 1/f Noise (1.0dB Typical @ 10 KHz) Description This series o
pmp4201v g y.pdf

PMP4201V; PMP4201G;PMP4201YNPN/NPN matched double transistorsRev. 04 28 August 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackages. The transistors in the SOT666 and SOT363 (SC-88) packages are fully isolatedinternally.Table 1. Product overviewType number Package NPN/NPN
mp4209.pdf

MP4209 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon N Channel MOS Type (Four L2--MOSV in One) MP4209 Industrial Applications High Power, High Speed Switching Applications Unit: mmFor Printer Head Pin Driver and Pulse Motor Driver For Solenoid Driver 4-V gate drivability Small package by full molding (SIP 10 pins) High drain power dissipation (4-device operation) : P
mp4208 .pdf

MP4208 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon P Channel MOS Type (Four L2--MOSV in One) MP4208 Industrial Applications High Power High Speed Switching Applications Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching -4 V gate drive available Small package by full molding (SIP 10 pin) High drain power dissipation (4-device operation) : PT = 4 W
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZTX302M | NSVF4009SG4
History: ZTX302M | NSVF4009SG4



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260