Биполярный транзистор MP42141 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MP42141
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 27 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: MICRO-X
MP42141 Datasheet (PDF)
mp42141.pdf
Silicon Bipolar Low Noise Microwave Transistors MP42141Case Styles Features Low Intrinsic Noise Figure (2.3dB Typical @ 1.0 GHz) High Power Gain At 1.0 GHz 18.0 dB Typical Gold Metalization Hermetic and Surface Mount Packages Available Can be Screened to JANTX, JANTXV Equivalent Levels ION Implanted arsenic Emitter for Consistent Performance Descr
mp4212.pdf
MP4212 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon N&P Channel MOS Type (Four L2--MOSV in One) MP4212 Industrial Applications High Power High Speed Switching Applications Unit: mmH-Switch Driver 4-V gate drivability Small package by full molding (SIP 10 pin) High drain power dissipation (4-device operation) : PT = 4 W (Ta = 25C) Low drain-source ON resistance
mp4210.pdf
MP4210 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon N Channel MOS Type (Four L2--MOSV inOne) MP4210 Industrial Applications High Power, High Speed Switching Applications Unit: mmFor Printer Head Pin Driver and Pulse Motor Driver For Solenoid Driver 4-V gate drivability Small package by full molding (SIP 10 pins) High drain power dissipation (4-device operation) : PT
mp4211.pdf
MP4211 TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon P Channel MOS Type (Four L2--MOSV inOne) MP4211 Industrial Applications High Power, High Speed Switching Applications Unit: mmFor Printer Head Pin Driver and Pulse Motor Driver For Solenoid Driver 4-V gate drivability Small package by full molding (SIP 10 pin) High drain power dissipation (4 devices operation) : PT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: GET538
History: GET538
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050