Биполярный транзистор 2N757A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N757A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO18
2N757A Datasheet (PDF)
2n6576 2n7577 2n7578.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6576 2N6577 2N6578 DESCRIPTION With TO-3 package DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS Power switching Audio amplifiers Hammer drivers Series and shunt regulators PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(T
Другие транзисторы... 2N753 , 2N753-46 , 2N753-51 , 2N754 , 2N755 , 2N756 , 2N756A , 2N757 , BC546 , 2N758 , 2N758A , 2N758B , 2N759 , 2N759A , 2N759B , 2N76 , 2N760 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050