BD244CG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD244CG 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BD244CG
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD244CG даташит
bd244cg.pdf
BD243B, BD243C (NPN) BD244B, BD244C (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. http //onsemi.com Features 6 AMPERE Collector - Emitter Saturation Voltage - POWER TRANSISTORS VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage -
bd243b bd244b bd243c bd244c.pdf
Order this document MOTOROLA by BD243B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD243B Complementary Silicon Plastic BD243C* Power Transistors PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD244B Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage BD244C* VCEO(sus) =
bd243c bd244c.pdf
BD243C BD244C Complementary power transistors . Features Complementary NPN-PNP devices Applications Power linear and switching 3 2 1 Description TO-220 The device is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance Figure 1. Internal schematic diagram coupled with very low saturation vo
bd244 bd244a bd244b bd244c.pdf
BD244/A/B/C Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD243, BD243A, BD243B and BD243C respectively TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD244 - 45 V BD244A - 60 V BD244B - 80 V BD244C - 100 V VCEO Co
Другие транзисторы: BD159G, BD179G, BD180G, BD241CG, BD242BG, BD242CG, BD243CG, BD244BG, S9014, BD435G, BD436G, BD437G, BD437TG, BD438G, BD439G, BD440G, BD441G
History: CDQ10007
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet






