BD676AG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD676AG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO225

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD676AG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD676AG даташит

 ..1. Size:102K  onsemi
 bd676ag.pdf pdf_icon

BD676AG

BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682, BD682T Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons http //onsemi.com This series of plastic, medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary 4.0 AMP DARLINGTON general-purpose amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features PNP SILICON High DC Current Gain - 45, 60, 80, 100 V

 8.1. Size:42K  fairchild semi
 bd676a bd678a bd680a bd682.pdf pdf_icon

BD676AG

BD676A/678A/680A/682 Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively TO-126 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD676A - 45 V BD678A - 60 V

 8.2. Size:159K  onsemi
 bd676a bd678a bd680a bd682.pdf pdf_icon

BD676AG

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.3. Size:189K  inchange semiconductor
 bd676a.pdf pdf_icon

BD676AG

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD676A DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = -45 V (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -2 A FE C Complement to Type BD675A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD437TG, BD438G, BD439G, BD440G, BD441G, BD442G, BD675AG, BD675G, TIP35C, BD676G, BD677AG, BD677G, BD678AG, BD678G, BD679AG, BD679G, BD680AG