BD678AG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD678AG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO225

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD678AG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD678AG даташит

 ..1. Size:102K  onsemi
bd678ag.pdfpdf_icon

BD678AG

BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682, BD682T Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons http //onsemi.com This series of plastic, medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary 4.0 AMP DARLINGTON general-purpose amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features PNP SILICON High DC Current Gain - 45, 60, 80, 100 V

 8.1. Size:87K  st
bd677a bd679a bd681 bd678a bd680a bd682.pdfpdf_icon

BD678AG

BD677/A/679/A/681 BD678/A/680/A/682 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 2 EQUIPMENT 3 SOT-32 DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epi

 8.2. Size:41K  st
bd677 bd677a bd678 bd678a bd679 bd679a bd680 bd680a bd681 bd682.pdfpdf_icon

BD678AG

BD677/A/679/A681 BD678/A/680/A/682 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec SOT-32 plastic package. They are intended for use in medium power linar and switching applications 1 2

 8.3. Size:42K  fairchild semi
bd676a bd678a bd680a bd682.pdfpdf_icon

BD678AG

BD676A/678A/680A/682 Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively TO-126 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD676A - 45 V BD678A - 60 V

Другие транзисторы: BD441G, BD442G, BD675AG, BD675G, BD676AG, BD676G, BD677AG, BD677G, TIP31, BD678G, BD679AG, BD679G, BD680AG, BD680G, BD681A, BD681G, BD682A