BDS11SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDS11SM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO276AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDS11SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDS11SM даташит

 ..1. Size:16K  semelab
 bds11sm.pdf pdf_icon

BDS11SM

BDS10 BDS10SM BDS11 BDS11SM SEME BDS12 BDS12SM LAB MECHANICAL DATA SILICON NPN Dimensions in mm EPITAXIAL BASE IN 4.6 10.6 0.8 TO220 METAL AND CERAMIC SURFACE MOUNT 3.6 Dia. PACKAGES 1 2 3 FEATURES HERMETIC TO220 METAL OR CERAMIC PACKAGES 1.0 HIGH RELIABILITY 2.54 2. 70 MILITARY AND SPACE OPTIONS BSC BSC SCREENING TO CECC LEVELS 11.5 2.0 0.25 FU

 0.1. Size:41K  semelab
 bds11smd.pdf pdf_icon

BDS11SM

BDS10 BDS10SMD BDS10SMD05 BDS11 BDS11SMD BDS11SMD05 BDS12 BDS12SMD BDS12SMD05 SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE Dimensions in mm(inches) MOUNT PACKAGES 10.6 (0.42) 4.6 (0.18) 0.8 (0.03) FEATURES 3.70 Dia. Nom HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY 1 2 3 MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVEL

 0.2. Size:41K  semelab
 bds11smd05.pdf pdf_icon

BDS11SM

BDS10 BDS10SMD BDS10SMD05 BDS11 BDS11SMD BDS11SMD05 BDS12 BDS12SMD BDS12SMD05 SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE Dimensions in mm(inches) MOUNT PACKAGES 10.6 (0.42) 4.6 (0.18) 0.8 (0.03) FEATURES 3.70 Dia. Nom HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY 1 2 3 MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVEL

 9.1. Size:14K  semelab
 bds11ig.pdf pdf_icon

BDS11SM

BDS10IG BDS11IG SEME BDS12IG LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) SILICON NPN 4.83 (0.190) 5.08 (0.200) 10.41 (0.410) EPITAXIAL BASE IN 10.67 (0.420) 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) TO257 METAL PACKAGE 3.56 (0.140) Dia. 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 HERMETIC TO257 ISOLATED METAL PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS 0.64 (0.025) Dia. 0.89 (0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD882-R, BD882-Y, BDS10IG, BDS10N1A, BDS10N1B, BDS10SMD, BDS10SMD05, BDS11IG, 2SA1015, BDS11SMD, BDS11SMD05, BDS12IG, BDS12M2A, BDS12N1A, BDS12N1B, BDS12SMD, BDS12SMD05