Справочник транзисторов. BDS11SM

 

Биполярный транзистор BDS11SM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BDS11SM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO276AB

 Аналоги (замена) для BDS11SM

 

 

BDS11SM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:16K  semelab
bds11sm.pdf

BDS11SM
BDS11SM

BDS10 BDS10SMBDS11 BDS11SMSEMEBDS12 BDS12SMLABMECHANICAL DATASILICON NPNDimensions in mmEPITAXIAL BASE IN4.610.60.8 TO220 METAL ANDCERAMIC SURFACE MOUNT3.6Dia.PACKAGES1 2 3FEATURES HERMETIC TO220 METAL OR CERAMICPACKAGES1.0 HIGH RELIABILITY2.54 2. 70 MILITARY AND SPACE OPTIONSBSC BSC SCREENING TO CECC LEVELS 11.52.00.25 FU

 0.1. Size:41K  semelab
bds11smd.pdf

BDS11SM
BDS11SM

BDS10 BDS10SMD BDS10SMD05BDS11 BDS11SMD BDS11SMD05BDS12 BDS12SMD BDS12SMD05SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES10.6 (0.42)4.6 (0.18)0.8(0.03)FEATURES3.70 Dia. Nom HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY1 2 3 MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVEL

 0.2. Size:41K  semelab
bds11smd05.pdf

BDS11SM
BDS11SM

BDS10 BDS10SMD BDS10SMD05BDS11 BDS11SMD BDS11SMD05BDS12 BDS12SMD BDS12SMD05SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES10.6 (0.42)4.6 (0.18)0.8(0.03)FEATURES3.70 Dia. Nom HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY1 2 3 MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVEL

 9.1. Size:14K  semelab
bds11ig.pdf

BDS11SM
BDS11SM

BDS10IGBDS11IGSEMEBDS12IGLABMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)SILICON NPN4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)EPITAXIAL BASE IN10.67 (0.420)0.89 (0.035)1.14 (0.045)TO257 METAL PACKAGE3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)FEATURES1 2 3 HERMETIC TO257 ISOLATED METALPACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS0.64 (0.025)Dia.0.89 (0

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top