BDS12N1B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDS12N1B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO276AA

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDS12N1B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDS12N1B даташит

 ..1. Size:338K  semelab
 bds12n1b.pdf pdf_icon

BDS12N1B

SILICON NPN EPITAXIAL BIPOLAR TRANSISTOR BDS12N1A, BDS12N1B High Voltage Hermetic Ceramic SMD0.5 (TO-276AA) Surface Mount Package Ideally suited for Power Linear, Switching and general Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 100V VCEO Collector Emitt

 7.1. Size:338K  semelab
 bds12n1a.pdf pdf_icon

BDS12N1B

SILICON NPN EPITAXIAL BIPOLAR TRANSISTOR BDS12N1A, BDS12N1B High Voltage Hermetic Ceramic SMD0.5 (TO-276AA) Surface Mount Package Ideally suited for Power Linear, Switching and general Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 100V VCEO Collector Emitt

 9.1. Size:14K  semelab
 bds12ig.pdf pdf_icon

BDS12N1B

BDS10IG BDS11IG SEME BDS12IG LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) SILICON NPN 4.83 (0.190) 5.08 (0.200) 10.41 (0.410) EPITAXIAL BASE IN 10.67 (0.420) 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) TO257 METAL PACKAGE 3.56 (0.140) Dia. 3.81 (0.150) FEATURES 1 2 3 HERMETIC TO257 ISOLATED METAL PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS 0.64 (0.025) Dia. 0.89 (0

 9.2. Size:41K  semelab
 bds12smd05.pdf pdf_icon

BDS12N1B

BDS10 BDS10SMD BDS10SMD05 BDS11 BDS11SMD BDS11SMD05 BDS12 BDS12SMD BDS12SMD05 SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE Dimensions in mm(inches) MOUNT PACKAGES 10.6 (0.42) 4.6 (0.18) 0.8 (0.03) FEATURES 3.70 Dia. Nom HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY 1 2 3 MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVEL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDS10SMD05, BDS11IG, BDS11SM, BDS11SMD, BDS11SMD05, BDS12IG, BDS12M2A, BDS12N1A, TIP142, BDS12SMD, BDS12SMD05, BDS13SMD, BDS13SMD05, BDS14SMD, BDS14SMD05, BDS15SMD, BDS15SMD05