BDS21SMD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDS21SMD  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO276AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDS21SMD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDS21SMD даташит

 ..1. Size:452K  semelab
 bds21smd.pdf pdf_icon

BDS21SMD

SILICON EPIBASE PNP DARLINGTON TRANSISTOR BDS21SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -80V VCEO Collector Emitter Voltage -80V

Другие транзисторы: BDS17X, BDS17XSMD, BDS17XSMD05, BDS18SMD, BDS18SMD05, BDS19SMD, BDS19SMD05, BDS20SMD, C945, BDS28AM3A, BDS28AN2, BDS28BM3A, BDS28BN2, BDS28BSMD, BDS28CM3A, BDS28CN2, BDS29AM3A