BDV65BG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDV65BG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDV65BG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV65BG даташит

 ..1. Size:116K  onsemi
bdv65bg.pdfpdf_icon

BDV65BG

BDV65B (NPN), BDV64B (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. http //onsemi.com Features 10 AMPERE DARLINGTON High DC Current Gain - HFE = 1000 (min) @ 5 Adc COMPLEMENTARY SILICON Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors POWER TRANSISTORS These

 8.1. Size:110K  motorola
bdv64b bdv65b.pdfpdf_icon

BDV65BG

Order this document MOTOROLA by BDV65B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BDV65B PNP Complementary Silicon Plastic BDV64B Power Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- tions. DARLINGTONS High DC Current Gain 10 AMPERES HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc COMPLEMENTARY Monolithi

 8.2. Size:219K  inchange semiconductor
bdv65 bdv65a bdv65b bdv65c.pdfpdf_icon

BDV65BG

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDV65/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = 12A C Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Complement to Type BDV64/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applicati

 9.1. Size:170K  mospec
bdv64 bdv65.pdfpdf_icon

BDV65BG

A A A A

Другие транзисторы: BDS29AN2, BDS29ASMD, BDS29BM3A, BDS29BN2, BDS29CM3A, BDS29CN2, BDS29CSMD, BDV64BG, TIP42C, BDW24B, BDW42G, BDW46G, BDW47G, BDW52B, BDX14A, BDX14S, BDX16A