Биполярный транзистор BDW47G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDW47G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO220
BDW47G Datasheet (PDF)
bdw47g.pdf
BDW42G - NPN, BDW46G,BDW47G - PNPDarlington ComplementarySilicon Power TransistorsThis series of plastic, medium-power silicon NPN and PNPDarlington transistors are designed for general purpose and low speedhttp://onsemi.comswitching applications.Features15 AMP DARLINGTON High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc.COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter
bdw42 bdw46 bdw47.pdf
Order this documentMOTOROLAby BDW42/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBDW42*Darlington ComplementaryPNPSilicon Power TransistorsBDW46. . . designed for general purpose and low speed switching applications. High DC Current Gain hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc. BDW47* Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:*Motorola Preferred DeviceVCEO(sus) = 80 Vdc (
bdw47.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTOR BDW47TO-220Plastic PackageGeneral Purpose and Low Speed Switching ApplicationComplementary BDW42ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT100VCEOCollector-Emitter Voltage V100VCBOCollector-Base Voltage V5.0VEBOEmitt
stbdw47.pdf
ST BDW47 PNP Silicon Planar Darlington Power Transistor General purpose and low speed switching application TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage -VCEO 100 VCollector Base Voltage -VCBO 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current Continuous -IC 15 A Base Currentt -IB 0.5 AOTotal P
bdw47.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW47DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 1000(Min) @I = -5AFE CLow Collector Saturation Voltage: V = -2.0V(Max.)@ I = -5.0ACE(sat) C= -3.0V(Max.)@ I = -10ACComplement to Type BDW42Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050