BDW47G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW47G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDW47G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW47G даташит

 ..1. Size:147K  onsemi
 bdw47g.pdf pdf_icon

BDW47G

BDW42G - NPN, BDW46G, BDW47G - PNP Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium-power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed http //onsemi.com switching applications. Features 15 AMP DARLINGTON High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter

 9.1. Size:176K  motorola
 bdw42 bdw46 bdw47.pdf pdf_icon

BDW47G

Order this document MOTOROLA by BDW42/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BDW42* Darlington Complementary PNP Silicon Power Transistors BDW46 . . . designed for general purpose and low speed switching applications. High DC Current Gain hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc. BDW47* Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc *Motorola Preferred Device VCEO(sus) = 80 Vdc (

 9.2. Size:235K  cdil
 bdw47.pdf pdf_icon

BDW47G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTOR BDW47 TO-220 Plastic Package General Purpose and Low Speed Switching Application Complementary BDW42 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT 100 VCEO Collector-Emitter Voltage V 100 VCBO Collector-Base Voltage V 5.0 VEBO Emitt

 9.3. Size:481K  semtech
 stbdw47.pdf pdf_icon

BDW47G

ST BDW47 PNP Silicon Planar Darlington Power Transistor General purpose and low speed switching application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage -VCEO 100 V Collector Base Voltage -VCBO 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current Continuous -IC 15 A Base Currentt -IB 0.5 A O Total P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDS29CM3A, BDS29CN2, BDS29CSMD, BDV64BG, BDV65BG, BDW24B, BDW42G, BDW46G, TIP31C, BDW52B, BDX14A, BDX14S, BDX16A, BDX18A, BDX33BG, BDX33CG, BDX34BG