Биполярный транзистор BDX14A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX14A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO213AA
BDX14A Datasheet (PDF)
bdx14a.pdf
BDX14AAMECHANICAL DATAPNPDimensions in mmSILICON TRANSISTOR,EPITAXIAL BASE6.35 (0.250)8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.3.86 (0.145)rad.FEATURES: LF Large Signal Power Amplification Medium Current Switching1.27 (0.050)4.83 (0.190) 1.91 (0.750)5.33 (0.210)9.14 (0.360)min.TO66 Package.Pin 1 Base Pin 2 Emitter Case - Collector
bdx14a.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDX14ADESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = -4ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -55V(Min.)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF Large Signal Power Amplificationand Medium Current SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA
bdx14s.pdf
BDX14SDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250)Metal Package. 8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.Bipolar PNP Device. 1 2VCEO = 60V IC = 4A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif
bdx14.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDX14DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = -4ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -55V(Min.)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050