Биполярный транзистор BDY60-02 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BDY60-02
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO204
Аналог (замена) для BDY60-02
BDY60-02 Datasheet (PDF)
bdy60-02.pdf

BDY60/02Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 80V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in
bdy60.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDY60DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE
Другие транзисторы... BDX54BG , BDX54CG , BDX67CECC , BDY27AS , BDY27CX , BDY55X , BDY58A , BDY58S , TIP31 , BDY71X , BDY76E , BDY90S , BFU520 , BFU520A , BFU520W , BFU520X , BFU520XR .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor