BFU520XR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU520XR  📄📄 

Маркировка: *TJ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.28 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT143R

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU520XR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU520XR даташит

 ..1. Size:332K  philips
bfu520xr.pdfpdf_icon

BFU520XR

BFU520XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 ..2. Size:308K  nxp
bfu520xr.pdfpdf_icon

BFU520XR

BFU520XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 7.1. Size:325K  philips
bfu520x.pdfpdf_icon

BFU520XR

BFU520X NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU520X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and be

 8.1. Size:329K  philips
bfu520.pdfpdf_icon

BFU520XR

BFU520 NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU520 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and bene

Другие транзисторы: BDY60-02, BDY71X, BDY76E, BDY90S, BFU520, BFU520A, BFU520W, BFU520X, 8550, BFU520Y, BFU530, BFU530A, BFU530W, BFU530X, BFU530XR, BFU550, BFU550A