BFU530X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU530X  📄📄 

Маркировка: TF*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT143B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU530X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU530X даташит

 ..1. Size:325K  philips
 bfu530x.pdf pdf_icon

BFU530X

BFU530X NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU530X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and be

 0.1. Size:335K  philips
 bfu530xr.pdf pdf_icon

BFU530X

BFU530XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU530XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 0.2. Size:310K  nxp
 bfu530xr.pdf pdf_icon

BFU530X

BFU530XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU530XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 8.1. Size:328K  philips
 bfu530.pdf pdf_icon

BFU530X

BFU530 NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU530 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and bene

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFU520A, BFU520W, BFU520X, BFU520XR, BFU520Y, BFU530, BFU530A, BFU530W, A1013, BFU530XR, BFU550, BFU550A, BFU550W, BFU550X, BFU550XR, BFU580G, BFU580Q