BFU550XR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU550XR  📄📄 

Маркировка: *TL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.41 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT143L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU550XR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU550XR даташит

 ..1. Size:331K  philips
 bfu550xr.pdf pdf_icon

BFU550XR

BFU550XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 14 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU550XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

 7.1. Size:325K  philips
 bfu550x.pdf pdf_icon

BFU550XR

BFU550X NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU550X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and be

 7.2. Size:276K  nxp
 bfu550x.pdf pdf_icon

BFU550XR

BFU550X NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 12 April 2019 Product data sheet 1 Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual- emitter SOT143B package. The BFU550X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and ben

 8.1. Size:324K  philips
 bfu550.pdf pdf_icon

BFU550XR

BFU550 NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU550 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and bene

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFU530A, BFU530W, BFU530X, BFU530XR, BFU550, BFU550A, BFU550W, BFU550X, D209L, BFU580G, BFU580Q, BFU590G, BFU590Q, BFU730LX, BFU768F, BFU910F, BFW44CSM