BR3DD5555R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BR3DD5555R  📄📄 

Маркировка: BR5555

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 14 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BR3DD5555R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BR3DD5555R даташит

 ..1. Size:466K  blue-rocket-elect
br3dd5555r.pdfpdf_icon

BR3DD5555R

BUL5555(BR3DD5555R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , Fast speed switching, Wide SOA. / Applications High voltage switch mode,suitable for electro

 9.1. Size:460K  blue-rocket-elect
br3dd13005p8f.pdfpdf_icon

BR3DD5555R

MJE13005P8(BR3DD13005P8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High fr

 9.2. Size:447K  blue-rocket-elect
br3dd13007x9p.pdfpdf_icon

BR3DD5555R

MJE13007X9(BR3DD13007X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting, switching power supply applications.

 9.3. Size:456K  blue-rocket-elect
2sd2625z9 br3dd2625z9p.pdfpdf_icon

BR3DD5555R

2SD2625Z9(BR3DD2625Z9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equivalent Circuit /

Другие транзисторы: BR3DD13007V9P, BR3DD13007X7R, BR3DD13007X8F, BR3DD13007X9P, BR3DD13009X7R, BR3DD13009X8F, BR3DD13009X9P, BR3DD13009Z8F, C5198, BR3DD6802Q, BR3DG1684, BR3DG227K, BR3DG536K, BRF90G, BSV52LT1G, BSV62SMD, BSV62SMD05