Справочник транзисторов. BSV52LT1G

 

Биполярный транзистор BSV52LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSV52LT1G
   Маркировка: B2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BSV52LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  onsemi
bsv52lt1g.pdfpdf_icon

BSV52LT1G

BSV52LT1GSwitching TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSwww.onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 12 VdcCollector-Base Voltage VCBO 20 Vdc2EMITTERCollector Current - Continuous IC 100 mAdcTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max

 6.1. Size:79K  motorola
bsv52lt1.pdfpdf_icon

BSV52LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSV52LT1/DSwitching TransistorBSV52LT1COLLECTORNPN Silicon31BASE23EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 20 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdcTHERMAL CHARACTER

 6.2. Size:108K  onsemi
bsv52lt1-d.pdfpdf_icon

BSV52LT1G

BSV52LT1GSwitching TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 12 VdcCollector-Base Voltage VCBO 20 Vdc2EMITTERCollector Current - Continuous IC 100 mAdcTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol

 9.1. Size:50K  philips
bsv52 3.pdfpdf_icon

BSV52LT1G

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BSV52NPN switching transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 May 07Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BSV52FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 12 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector High speed

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N3763S | 2SC354 | CZTA77

 

 
Back to Top

 


 
.