BSX33CSM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSX33CSM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: LCC1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSX33CSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSX33CSM даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 bsx33csm.pdf pdf_icon

BSX33CSM

BSX33CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 55V A = (0.04 0.004)

 9.1. Size:10K  semelab
 bsx33dcsm.pdf pdf_icon

BSX33CSM

Другие транзисторы: BR3DG227K, BR3DG536K, BRF90G, BSV52LT1G, BSV62SMD, BSV62SMD05, BSV64SMD, BSX20DCSM, 13007, BSX33DCSM, BSX36DCSM, BSX62SMD, BSX62SMD05, BSX63SMD, BSX64SMD, BSX64SMD05, BRF91