BSS63LT1G - описание и поиск аналогов

 

BSS63LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS63LT1G

Маркировка: BM

Тип материала: SI

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BSS63LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS63LT1G даташит

 ..1. Size:91K  onsemi
bss63lt1g.pdfpdf_icon

BSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit C

 ..2. Size:81K  onsemi
bss63lt1g nsvbss63lt1g.pdfpdf_icon

BSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon www.onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Coll

 0.1. Size:91K  onsemi
nsvbss63lt1g.pdfpdf_icon

BSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit C

 6.1. Size:81K  motorola
bss63lt1.pdfpdf_icon

BSS63LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS63LT1/D High Voltage Transistor BSS63LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 100 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCER Vdc SOT 23 (TO 236AB) RBE = 10 k 110 Collector Current Continuous I

Другие транзисторы... BSP52T1G , BSP52T3G , BSS50A , BSS51A , BSS52A , BSS60A , BSS61A , BSS62A , BC546 , BSS63R , BSS64LT1G , BSS71CSM , BSS71DCSM , BSS73CSM , BSS73DCSM , BSS74CSM , 2SA1013-O .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.