Биполярный транзистор BSS63LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BSS63LT1G
Маркировка: BM
Тип материала: SI
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для BSS63LT1G
BSS63LT1G Datasheet (PDF)
bss63lt1g.pdf

BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitC
bss63lt1g nsvbss63lt1g.pdf

BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitColl
nsvbss63lt1g.pdf

BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitC
bss63lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS63LT1/DHigh Voltage TransistorBSS63LT1COLLECTORPNP Silicon31BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 100 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorEmitter Voltage VCER VdcSOT23 (TO236AB)RBE = 10 k 110Collector Current Continuous I
Другие транзисторы... BSP52T1G , BSP52T3G , BSS50A , BSS51A , BSS52A , BSS60A , BSS61A , BSS62A , 8050 , BSS63R , BSS64LT1G , BSS71CSM , BSS71DCSM , BSS73CSM , BSS73DCSM , BSS74CSM , 2SA1013-O .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet