Биполярный транзистор BSS63LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSS63LT1G
Маркировка: BM
Тип материала: SI
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BSS63LT1G
BSS63LT1G Datasheet (PDF)
bss63lt1g.pdf
BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitC
bss63lt1g nsvbss63lt1g.pdf
BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitColl
nsvbss63lt1g.pdf
BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitC
bss63lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS63LT1/DHigh Voltage TransistorBSS63LT1COLLECTORPNP Silicon31BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 100 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorEmitter Voltage VCER VdcSOT23 (TO236AB)RBE = 10 k 110Collector Current Continuous I
bss63lt1-d.pdf
BSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTORMAXIMUM RATINGS 3Rating Symbol Value Unit1Collector-Emitter Voltage VCEO -100 VdcBASECollector-Emitter Voltage VCER VdcRBE = 10 kW -1102Collector Current - Continuous IC -100 mAdc EMITTERTHERMAL CHARACTERISTICS
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MJ410 | DKS24 | 2N87 | 2SB214A | 2SB243 | 2SB293
History: MJ410 | DKS24 | 2N87 | 2SB214A | 2SB243 | 2SB293
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050