BSS63LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSS63LT1G  📄📄 

Маркировка: BM

Тип материала: SI

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSS63LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS63LT1G даташит

 ..1. Size:91K  onsemi
 bss63lt1g.pdf pdf_icon

BSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit C

 ..2. Size:81K  onsemi
 bss63lt1g nsvbss63lt1g.pdf pdf_icon

BSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon www.onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Coll

 0.1. Size:91K  onsemi
 nsvbss63lt1g.pdf pdf_icon

BSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit C

 6.1. Size:81K  motorola
 bss63lt1.pdf pdf_icon

BSS63LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS63LT1/D High Voltage Transistor BSS63LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 100 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCER Vdc SOT 23 (TO 236AB) RBE = 10 k 110 Collector Current Continuous I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BSP52T1G, BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BSS52A, BSS60A, BSS61A, BSS62A, 9014, BSS63R, BSS64LT1G, BSS71CSM, BSS71DCSM, BSS73CSM, BSS73DCSM, BSS74CSM, 2SA1013-O