BSS63R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS63R

Маркировка: T6

Тип материала: SI

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BSS63R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS63R даташит

 ..1. Size:106K  tysemi
bss63r.pdfpdf_icon

BSS63R

SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type SMD Type Product specification BSS63R SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features SOT23 PNP silicon planar 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -110 V Collector-emitter voltage

 9.1. Size:81K  motorola
bss63lt1.pdfpdf_icon

BSS63R

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS63LT1/D High Voltage Transistor BSS63LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 100 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCER Vdc SOT 23 (TO 236AB) RBE = 10 k 110 Collector Current Continuous I

 9.2. Size:100K  philips
bss63.pdfpdf_icon

BSS63R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSS63 PNP high-voltage transistor Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet PNP high-voltage transistor BSS63 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 100 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector High-voltage general purpose S

 9.3. Size:47K  philips
bss63 3.pdfpdf_icon

BSS63R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 BSS63 PNP high-voltage transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor BSS63 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 100 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector H

Другие транзисторы: BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BSS52A, BSS60A, BSS61A, BSS62A, BSS63LT1G, TIP35C, BSS64LT1G, BSS71CSM, BSS71DCSM, BSS73CSM, BSS73DCSM, BSS74CSM, 2SA1013-O, 2SA1013-R