Справочник транзисторов. 2SA1418S-TD-E

 

Биполярный транзистор 2SA1418S-TD-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SA1418S-TD-E
   Маркировка: AD
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SA1418S-TD-E

 

 

2SA1418S-TD-E Datasheet (PDF)

 6.1. Size:217K  onsemi
2sa1418s 2sc3648s 2sc3648t.pdf

2SA1418S-TD-E
2SA1418S-TD-E

Ordering number : EN1788C2SA1418/2SC3648Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 0.7A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPApplicaitons Color TV audio output, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-

 7.1. Size:113K  sanyo
2sa1418.pdf

2SA1418S-TD-E
2SA1418S-TD-E

 7.2. Size:96K  sanyo
2sa1418 2sc3648.pdf

2SA1418S-TD-E
2SA1418S-TD-E

Ordering number : EN1788B2SA1418 / 2SC3648SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsHigh-Voltage Switching,2SA1418 / 2SC3648Preriver ApplicationsApplications Color TV audio output, inverter.Features Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed. Ultrasmall siz

 7.3. Size:343K  onsemi
2sa1418 2sc3648.pdf

2SA1418S-TD-E
2SA1418S-TD-E

Ordering number : EN1788C2SA1418/2SC3648Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 0.7A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPApplicaitons Color TV audio output, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-

 7.4. Size:1516K  kexin
2sa1418.pdf

2SA1418S-TD-E
2SA1418S-TD-E

SMD Type TransistorsPNP Transistors 2SA14181.70 0.1FeaturesAdoption of FBET, MBIT ProcessesHigh Breakdown Voltage and Large Current CapacityFast Switching Speed0.42 0.10.46 0.1 Complementary to 2SC36481.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -180 Collector - Emitter Voltage VCEO -16

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top