Справочник транзисторов. 2SA1419T-TD-H

 

Биполярный транзистор 2SA1419T-TD-H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1419T-TD-H
   Маркировка: AE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1419T-TD-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  onsemi
 2sa1419s 2sa1419s-td-h 2sa1419t 2sa1419t-td-h 2sc3649s 2sc3649s-td-h 2sc3649t 2sc3649t-td-h.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-H

Ordering number : EN2007C2SA1419/2SC3649Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1419Absolute Maximum Ratings at

 7.1. Size:127K  sanyo
 2sa1419.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-H

 7.2. Size:305K  sanyo
 2sa1419 2sc3649.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-H

Ordering number : EN2007B2SA1419 / 2SC3649SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1419 / 2SC3649High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs.Specifications ( ) :

 7.3. Size:356K  onsemi
 2sa1419 2sc3649.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-H

Ordering number : EN2007C2SA1419/2SC3649Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1419Absolute Maximum Ratings at

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: PZTA28 | 3CG953 | 2SA922-2 | 2SC2923 | BC807K-16 | 2N1683

 

 
Back to Top

 


 
.