2SA1611A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1611A
Маркировка: M4_M5_M6_M7
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для 2SA1611A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1611A даташит
2sa1611a.pdf
RoHS 2SA1611 SOT-323 2SA1611 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 1. 25 0. 05 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.15 W (Tamb=25 ) 2. 30 0. 05 Collector current ICM -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO -60 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Tstg -55 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
2sa1611.pdf
2SA1611 -0.1A , -60V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURES High DC Current Gain A High Voltage L 3 Complementary to 2SC4177 3 Top View C B 1 CLASSIFICATION OF hFE 1 2 2 K E Product-Rank 2SA1611-M4 2SA1611-M5 Range 90 180 135 27
2sa1611.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1611 TRANSISTOR (PNP) FEATURES SOT 323 High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE VCBO Collector-Base Voltage -60 V 2. EMITTER VCEO Collector-Emitter Vol
Другие транзисторы: 2SA1577-R, 2SA1579FRA, 2SA1585S-Q, 2SA1585S-R, 2SA1593S-E, 2SA1593S-TL-E, 2SA1593T-E, 2SA1593T-TL-E, 2SD718, 2SA1615-Z, 2SA1645-Z, 2SA1646-Z, 2SA1647-Z, 2SA1648-Z, 2SA1649-Z, 2SA1705S-AN, 2SA1705T-AN
History: 2G383
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m






