Биполярный транзистор 2SA1611A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1611A
Маркировка: M4_M5_M6_M7
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT323
2SA1611A Datasheet (PDF)
2sa1611a.pdf
RoHS 2SA1611SOT-323 2SA1611 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 1. 25 0. 053. COLLECTOR Power dissipation PCM : 0.15 W (Tamb=25) 2. 30 0. 05 Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range Unit: mm TJ, Tstg: -55 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
2sa1611.pdf
2SA1611 -0.1A , -60V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES High DC Current Gain A High Voltage L3 Complementary to 2SC4177 3 Top View C B1CLASSIFICATION OF hFE 1 22 K EProduct-Rank 2SA1611-M4 2SA1611-M5Range 90~180 135~27
2sa1611.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1611 TRANSISTOR (PNP) FEATURES SOT323 High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE VCBO Collector-Base Voltage -60 V 2. EMITTER VCEO Collector-Emitter Vol
2sa1611.pdf
2SA1 61 1TRANSISTOR(PNP)FEATURES SOT323 High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE VCBO Collector-Base Voltage -60 V 2. EMITTER VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage -5 V EBOI Collector Current -100 mA CP Colle
2sa1611.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SA1611 Features High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC41771.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Current - Continuous IC -100 mA
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050