Справочник транзисторов. 2SA2223

 

Биполярный транзистор 2SA2223 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA2223
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3P
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA2223 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  sanken-ele
2sa2223.pdfpdf_icon

2SA2223

2SA2223Audio Amplification TransistorFeatures and Benefits Description LAPT (High frequency multi emitter transistor) Sanken LAPT transistors have an innovative design, produced Small package (TO-3P) by adapting advancements in the unique Sanken thin-wafer High power handling capacity, 160 W production technology. These PNP power transistors achieve Improved sound out

 ..2. Size:191K  inchange semiconductor
2sa2223.pdfpdf_icon

2SA2223

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA2223DESCRIPTIONHigh frequency multi emitter transistorSmall package(TO-3P)High power handling capacity ,160WComplement to Type 2SC6145Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSSignal transistors for audio amplifiersAudio marketABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 0.1. Size:228K  sanken-ele
2sa2223a.pdfpdf_icon

2SA2223

2SA2223AAudio Amplification TransistorFeatures and Benefits Description LAPT (High frequency multi emitter transistor) Sanken LAPT transistors have an innovative design, produced Small package (TO-3P) by adapting advancements in the unique Sanken thin-wafer High power handling capacity, 160 W production technology. These PNP power transistors achieve Improved sound ou

 0.2. Size:216K  inchange semiconductor
2sa2223a.pdfpdf_icon

2SA2223

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA2223ADESCRIPTIONHigh frequency multi emitter transistorSmall package(TO-3P)High power handling capacity ,160WComplement to Type 2SC6145AMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSSignal transistors for audio amplifiersAudio marketABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL P

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BDX63L | 2SC130 | 2SC1505 | 2SC2416 | BDW24A | 2N1160 | NJL4281D

 

 
Back to Top

 


 
.