2SB1201S-E - описание и поиск аналогов

 

2SB1201S-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1201S-E

Маркировка: B1201

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для 2SB1201S-E

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1201S-E даташит

 ..1. Size:305K  onsemi
2sb1201s-e 2sb1201s 2sb1201t-e 2sb1201t.pdfpdf_icon

2SB1201S-E

Ordering number EN2112C 2SB1201/2SD1801 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FA Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

 7.1. Size:111K  sanyo
2sb1201 2sd1801.pdfpdf_icon

2SB1201S-E

Ordering number ENN2112B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1201/2SD1801 High-Current Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2045B [2SB1201/2SD1801] Features 6.5 2.3 5.0 Adoption of FBET, MBIT processes. 0.5 4 Large current capacity and wide ASO. Low colle

 7.2. Size:123K  sanyo
2sb1201.pdfpdf_icon

2SB1201S-E

 7.3. Size:388K  onsemi
2sb1201 2sd1801.pdfpdf_icon

2SB1201S-E

Ordering number EN2112C 2SB1201/2SD1801 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FA Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

Другие транзисторы... 2SA2188 , 2SA2205-E , 2SA2205-TL-E , 2SA2210-1E , 2SA2223 , 2SA2223A , 2SA562-O , 2SA562-Y , BC337 , 2SB1201S-TL-E , 2SB1201T-E , 2SB1201T-TL-E , 2SB1203S-E , 2SB1644J , 2SB1203S-TL-E , 2SB1203S-TL-H , 2SB1203T-E .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.