Справочник транзисторов. 2SB1201T-TL-E

 

Биполярный транзистор 2SB1201T-TL-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB1201T-TL-E
   Маркировка: B1201
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 2SB1201T-TL-E

 

 

2SB1201T-TL-E Datasheet (PDF)

 5.1. Size:305K  onsemi
2sb1201s-e 2sb1201s 2sb1201t-e 2sb1201t.pdf

2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

 7.1. Size:111K  sanyo
2sb1201 2sd1801.pdf

2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

Ordering number:ENN2112BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1201/2SD1801High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,unit:mmelectrical equipment.2045B[2SB1201/2SD1801]Features6.52.35.0 Adoption of FBET, MBIT processes. 0.54 Large current capacity and wide ASO. Low colle

 7.2. Size:123K  sanyo
2sb1201.pdf

2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

 7.3. Size:388K  onsemi
2sb1201 2sd1801.pdf

2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

Ordering number : EN2112C2SB1201/2SD1801Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FAApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

 7.4. Size:1558K  kexin
2sb1201.pdf

2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1201TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. Large current capacity and wide ASO.0.127+0.10.80-0.1max Complementary to 2SD1801+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154 .60 -0.152 Collector3 Emitt

 7.5. Size:253K  inchange semiconductor
2sb1201.pdf

2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1201DESCRIPTIONLarge current capacitance and wide ASOLow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSVoltage regulators,relay drivers,lamp drivers,electrical equipmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top