Справочник транзисторов. 2SB1260-R

 

Биполярный транзистор 2SB1260-R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB1260-R

Маркировка: BER

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180

Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для 2SB1260-R

 

 

2SB1260-R Datasheet (PDF)

1.1. 2sb1260-r.pdf Size:50K _update

2SB1260-R

SMD Type Transistors Power Transistor 2SB1260 Features High breakdown voltage and high current.BVCEO=-80V, IC=-1A Good hFE linearity. Low VCE(sat). Epitaxial planar type PNP silicon transistor Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -1 A

2.1. 2sb1260-q.pdf Size:50K _update

2SB1260-R

SMD Type Transistors Power Transistor 2SB1260 Features High breakdown voltage and high current.BVCEO=-80V, IC=-1A Good hFE linearity. Low VCE(sat). Epitaxial planar type PNP silicon transistor Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -1 A

2.2. 2sb1260-p.pdf Size:50K _update

2SB1260-R

SMD Type Transistors Power Transistor 2SB1260 Features High breakdown voltage and high current.BVCEO=-80V, IC=-1A Good hFE linearity. Low VCE(sat). Epitaxial planar type PNP silicon transistor Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -1 A

Другие транзисторы... 2SB1216S-TL-E , 2SB1216S-TL-H , 2SB1216T-E , 2SB1216T-H , 2SB1216T-TL-E , 2SB1216T-TL-H , 2SB1260-P , 2SB1260-Q , BC546 , 2SB1302S-TD-E , 2SB1302T-TD-E , 2SB1308-P , 2SB1308-Q , 2SB1308-R , 2SB975-220 , 2SBA42 , 2SBA92 .

 


2SB1260-R
  2SB1260-R
  2SB1260-R
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: M54561P | M54532P | M54532FP | M54531WP | M54531P | M54531FP | M54530P | M54530FP | M54522WP | LBCW65ALT1G | LBC858CWT1G | LBC848AWT1G | LBC847CPDW1T1G | LBC846ADW1T1G | LBC817-40DPMT1G | LBC817-40DMT1G | LBC817-25DMT1G | LBC817-16DPMT1G | LBC817-16DMT1G | LBC807-40DMT1G |