Биполярный транзистор 2SC2120-Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2120-Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SC2120-Y
2SC2120-Y Datasheet (PDF)
2sc2120-y.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SC2120-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2120-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Complementary Pair With 2SA950 Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates TransistorsRoHS Compliant
2sc2120-o.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SC2120-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2120-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Complementary Pair With 2SA950 Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates TransistorsRoHS Compliant
2sc2120.pdf
2SC2120 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2120 Audio Power Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE (1) 1 watts amplifier applications. Complementary to 2SA950 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 35 VCollector-emitter voltage VCEO 30 VEmitter-base vo
2sc2120.pdf
2SC2120 0.8 A , 35 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High DC Current Gain G H Complementary to 2SA950 1Emitter 1112Collector 222333J 3Base CLASSIFICATION OF hFE A DMillimeter REF. Product-Rank 2SC2120-O 2SC2120-Y Min. Max
2sc2120.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors2SC2120 TRANSISTOR (NPN)TO 92 FEATURES 1. EMITTER High DC Current Gain Complementary to 2SA950 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit C2120=Device code C2120 Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal deviceXXX=Code 1ORDERING INFORMATION Pa
2sc2120.pdf
isc Silicon NPN Transistor 2SC2120DESCRIPTIONHigh hFE(1)=100-3201 Watts Amplifier ApplicationsComplement to Type 2SA950Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 35 VCBOV Collector-Emitter
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050