2SC2290A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2290A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 18 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 2-13B1A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2290A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2290A даташит

 ..1. Size:339K  hgsemi
 2sc2290a.pdf pdf_icon

2SC2290A

HG RF POWER TRANSISTOR 2SC2290A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Spec ified 12.5, 28MHz Ch aracteristic V s Output Power Po = 60W (Min.) PEP Power Gain Gp = 11.8dB (Min.) Collect Efficiency = 35% (Min.) or C _30dB Intermodulation Distortion IMD = (M ax .) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Colle

 7.1. Size:169K  toshiba
 2sc2290.pdf pdf_icon

2SC2290A

2SC2290 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2290 2 30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) Unit in mm Specified 12.5V, 28MHz Characteristics Output Power Po = 60W (Min.) PEP Power Gain Gp = 11.8dB (Min.) Collector Efficiency C = 35% (Min.) Intermodulation Distortion IMD = -30dB (Max.) MAXIMUM RATINGS (

 8.1. Size:51K  panasonic
 2sc2295.pdf pdf_icon

2SC2290A

Transistor 2SC2295 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SA1022 +0.2 2.8 0.3 +0.25 Features 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Optimum for RF amplification of FM/AM radios. High transition frequency fT. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag

 8.2. Size:51K  panasonic
 2sc2295 e.pdf pdf_icon

2SC2290A

Transistor 2SC2295 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SA1022 +0.2 2.8 0.3 +0.25 Features 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Optimum for RF amplification of FM/AM radios. High transition frequency fT. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB975-220, 2SBA42, 2SBA92, 2SC2001-K, 2SC2001-L, 2SC2001-M, 2SC2120-O, 2SC2120-Y, S8550, 2SC2335F, 2SC2383-O, 2SC2383-R, 2SC2383-Y, 2SC2389S, 2SC2411KFRA, 2SC2411KGP, 2SC2411-P