2SC3012-3PN - описание и поиск аналогов

 

2SC3012-3PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3012-3PN

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 130 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для 2SC3012-3PN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3012-3PN даташит

 ..1. Size:132K  inchange semiconductor
2sc3012-3pn.pdfpdf_icon

2SC3012-3PN

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3012 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1232 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum rat

 7.1. Size:28K  no
2sa1232 2sc3012 2sc3012.pdfpdf_icon

2SC3012-3PN

 7.2. Size:202K  inchange semiconductor
2sc3012.pdfpdf_icon

2SC3012-3PN

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3012 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 130V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1232 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 8.1. Size:320K  toshiba
2sc3011.pdfpdf_icon

2SC3012-3PN

2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3011 UHF C Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm High gain S21e 2 = 12dB (typ.) Low noise figure NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz High fT f = 6.5 GHz T Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 7

Другие транзисторы: 2SC2881-O, 2SC2881-Y, 2SC2883-O, 2SC2883-Y, 2SC2923-126, 2SC2923-220F, 2SC2983-O, 2SC2983-Y, BD139, 2SC3052-E, 2SC3052-F, 2SC3052-G, 2SC3149S, 2SC3150A, 2SC3265-O, 2SC3265-Y, 2SC3279-L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.