Биполярный транзистор 2SC3646S-TD-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3646S-TD-E
Маркировка: CB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SC3646S-TD-E
2SC3646S-TD-E Datasheet (PDF)
2sa1416s 2sa1416t 2sc3646s 2sc3646t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering number : EN2005C2SA1416/2SC3646Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() ) ( ), (100V, ( 1A, Low VCE sat PNP)NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1416Absol
2sa1416 2sc3646.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering number : EN2005B2SA1416 / 2SC3646SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1416 / 2SC3646High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed. Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC
2sc3646.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering number:EN2005APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1416/2SC3646High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm High breakdown voltage and large current capacity.2038 Fast switching time.[2SA1416/2SC3646] Very small size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs.E
2sa1416 2sc3646.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DATA SHEETwww.onsemi.comBipolar TransistorELECTRICAL CONNECTION22()100 V, ()1 A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP1: Base1 12: Collector3: Emitter2SA1416, 2SC36463 32SA1416 2SC3646Features Adoption of FBET and MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity Fast Switching Speed12 Ultrasmall Size Making it Easy to Provi
2sc3646.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC36461.70 0.1 Features High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed. Complementary to 2SA14160.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 120 Collector - Emitter Voltage VCEO 100 V Emitter
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .