Биполярный транзистор 2SC3649T-TD-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3649T-TD-E
Маркировка: CE
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SC3649T-TD-E
2SC3649T-TD-E Datasheet (PDF)
2sa1419s 2sa1419s-td-h 2sa1419t 2sa1419t-td-h 2sc3649s 2sc3649s-td-h 2sc3649t 2sc3649t-td-h.pdf
Ordering number : EN2007C2SA1419/2SC3649Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1419Absolute Maximum Ratings at
2sc3649.pdf
Ordering number:EN2007APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1419/2SC3649High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm High breakdown voltage and large current capacity.2038 Very small size making it easy to provide high-[2SA1419/2SC3649]density hybrid ICs.E : EmitterC : CollectorB : Base(
2sa1419 2sc3649.pdf
Ordering number : EN2007B2SA1419 / 2SC3649SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1419 / 2SC3649High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs.Specifications ( ) :
2sa1419 2sc3649.pdf
Ordering number : EN2007C2SA1419/2SC3649Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1419Absolute Maximum Ratings at
2sc3649.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC36491.70 0.1 Features High breakdown voltage and large current capacity. Complementary to 2SA14190.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 180 Collector - Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter - Base Voltage VEBO 6 Coll
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
