Биполярный транзистор 2SC4102FRA
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4102FRA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора:
SOT323
Аналоги (замена) для 2SC4102FRA
2SC4102FRA
Datasheet (PDF)
..1. Size:1329K rohm
2sc4102fra.pdf 2SC4102 / 2SC3906K2SC4102FRA / 2SC3906KFRADatasheetNPN 50mA 120V High Voltage Amplifier transistorsAEC-Q101 QualifiedlOutline UMT3 SMT3Parameter ValueCollector CollectorVCEO120VBase BaseIC50mAEmitterEmitter2SC3906K2SC4102FRA 2SC3906KFRA2SC4102SOT-346 (SC-59)SOT-323 (SC-70)lFeatures1) High Breakdown Voltage (VCEO=120V).2) Complementary PNP Types :2
7.1. Size:1772K rohm
2sc4102 2sc3906k.pdf 2SC4102 / 2SC3906KDatasheetHigh-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA)lOutlinelParameter Value SOT-323 SOT-346VCEO120VIC50mA 2SC4102 2SC3906K(UMT3) (SMT3) lFeatures lInner circuitl l1)High breakdown voltage. (BVCEO=120V)2)Complements the 2SA1579/2SA1514K.
7.2. Size:67K rohm
2sc4102 2sc3906k 2sc2389s.pdf 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S Transistors High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA) 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2SC41022) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S. 1.25 Absolute maximum ratings (Ta=25C) 2.1Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO 120 VC
7.3. Size:126K rohm
2sc4102.pdf High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA) 2SC4102 / 2SC3906K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2SC41022) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K 1.25Absolute maximum ratings (Ta=25C) 2.1Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO 120 VCollector-emitter voltage VCEO 120 V0.1Min.Emitter-base voltage VEBO 5 V
7.4. Size:463K htsemi
2sc4102.pdf 2SC4102TRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT323 High Breakdown Voltage Complements the 2SA1579 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage 120 V CBO1. BASE V Collector-Emitter Voltage 120 V 2. EMITTER CEO3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBOI Collector Current 50 mA CP Collector Power Dissipat
7.5. Size:1100K kexin
2sc4102.pdf SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC4102 Features High Breakdown Voltage Complementary to 2SA15791 Base2 Emitter3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 120 Collector - Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter - Base Voltage VEBO 5 Collector Current - Continuous IC 50mA Collector Current -
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.