Биполярный транзистор 2SC5227A-4-TB-E
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5227A-4-TB-E
Маркировка: LN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.75
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора:
SOT23
Аналоги (замена) для 2SC5227A-4-TB-E
2SC5227A-4-TB-E
Datasheet (PDF)
0.1. Size:229K onsemi
2sc5227a-4-tb-e 2sc5227a-5-tb-e.pdf 
Ordering number : ENA1063A2SC5227ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CPFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 : S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=7GHz typSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-t
6.1. Size:75K sanyo
2sc5227a.pdf 
Ordering number : ENA1063 2SC5227ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Wide-Band Low-Noise2SC5227AAmplifier ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain : S21e2=12dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=7GHz typ.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditio
7.1. Size:127K sanyo
2sc5227.pdf 
Ordering number:EN5034NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5227VHF to UHF Wide-Band Low-NoiseAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).unit:mm2 High gain : S21e =12dB typ (f=1GHz).2018B High cutoff frequency : fT=7GHz typ.[2SC5227]0.40.1630 to 0.11 0.95 20.951.92.91 : Base2 : Emitter3 :
7.2. Size:974K kexin
2sc5227.pdf 
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5227SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=70mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=10V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collec
7.3. Size:175K inchange semiconductor
2sc5227.pdf 
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC5227DESCRIPTIONHigh Gain Bandwidth Productf = 7 GHz TYP.THigh Gain, Low Noise FigureS 2 = 12 dB TYP., NF = 1.0 dB TYP @ f = 1 GHz21e100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for VHF~UHF wideband low noise amplifierapp
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
