2SC5415AE-TD-E - описание и поиск аналогов

 

2SC5415AE-TD-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5415AE-TD-E

Маркировка: EA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SC5415AE-TD-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5415AE-TD-E даташит

 5.1. Size:184K  onsemi
 2sc5415ae 2sc5415af.pdf pdf_icon

2SC5415AE-TD-E

Ordering number ENA1080A 2SC5415A RF Transistor http //onsemi.com 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP Features High gain 2 S21e =9dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=6.7GHz typ Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 20 V Collector-to-Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter-

 6.1. Size:92K  sanyo
 2sc5415a.pdf pdf_icon

2SC5415AE-TD-E

Ordering number ENA1080 2SC5415A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Low-Noise 2SC5415A Amplifier Applications Features High gain S21e 2=9dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=6.7GHz typ. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VC

 7.1. Size:47K  sanyo
 2sc5415.pdf pdf_icon

2SC5415AE-TD-E

Ordering number ENN5911 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5415 High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications Features Package Dimensions 2 High gain S21e =9dB typ (f=1GHz). unit mm High cutoff frequency fT=6.7GHz typ. 2038A [2SC5415] 4.5 1.5 1.6 0.4 0.5 3 2 1 0.4 1.5 3.0 1 Base 0.75 2 Collector 3 Emitter SANYO PCP Specifications (B

 7.2. Size:1027K  kexin
 2sc5415.pdf pdf_icon

2SC5415AE-TD-E

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC5415 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=12V 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter - Base Voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5343-O, 2SC5343-Y, 2SC5347AE-TD-E, 2SC5347AF-TD-E, 2SC536K, 2SC536S, 2SC5374A-TL-E, 2SC5397, 2N2222A, 2SC5415AF-TD-E, 2SC5488A-TL-H, 2SC5490A-TL-H, 2SC5501A-4-TR-E, 2SC5536A-TL-H, 2SC5551AE-TD-E, 2SC5551AF-TD-E, 2SC5566-TD-E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.