Биполярный транзистор 2SC5415AE-TD-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5415AE-TD-E
Маркировка: EA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SC5415AE-TD-E
2SC5415AE-TD-E Datasheet (PDF)
2sc5415ae 2sc5415af.pdf
Ordering number : ENA1080A2SC5415ARF Transistorhttp://onsemi.com12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCPFeatures High gain 2 : S21e =9dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=6.7GHz typSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter-
2sc5415a.pdf
Ordering number : ENA1080 2SC5415ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Low-Noise2SC5415AAmplifier ApplicationsFeatures High gain : S21e2=9dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VC
2sc5415.pdf
Ordering number:ENN5911NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5415High-FrequencyLow-Noise Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions2 High gain : S21e =9dB typ (f=1GHz).unit:mm High cutoff frequency : fT=6.7GHz typ.2038A[2SC5415]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Base0.752 : Collector3 : EmitterSANYO : PCPSpecifications(B
2sc5415.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5415SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=12V0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collector - Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter - Base Voltage V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050