2SC6046 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SC6046
Маркировка: B*W_BW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT236
Аналоги (замена) для 2SC6046
2SC6046 - технические параметры
2sc6046.pdf
2SC6046 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION Unit mm OUTLINE DRAWING 2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with high collector current, low VCE sat . 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE High collector current IC MAX =600mA Low collector to emitter saturation voltage VCE sa
2sc6042.pdf
2SC6042 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6042 High-Speed, High-Voltage Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3A) High breakdown voltage VCES = 800 V, VCEO = 375 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Colle
2sc6040.pdf
2SC6040 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6040 High-Speed and High-Voltage Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3 A) High breakdown voltage VCES = 800 V, VCEO = 410 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit C
2sc6043.pdf
Ordering number ENN8326 2SC6043 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC6043 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute Maximum Ra
Другие транзисторы... 2SC5964-TD-E , 2SC5964-TD-H , 2SC5974 , 2SC5974A , 2SC5974B , 2SC5994-TD-E , 2SC6017-E , 2SC6017-TL-E , 2N4401 , 2SC6094-TD-E , 2SC6095-TD-E , 2SC6096-TD-E , 2SC6096-TD-H , 2SC6097-E , 2SC6097-TL-E , 2SC6098-E , 2SC6098-TL-E .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65






