Справочник транзисторов. 2SC6094-TD-E

 

Биполярный транзистор 2SC6094-TD-E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC6094-TD-E
   Маркировка: QE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 390 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SC6094-TD-E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6094-TD-E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:142K  sanyo
2sc6094.pdfpdf_icon

2SC6094-TD-E

2SC6094 No. NA0410 NN N 2SC6094

 7.2. Size:330K  onsemi
2sc6094.pdfpdf_icon

2SC6094-TD-E

Ordering number : ENA0410A2SC6094Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )60V, 3A, Low VCE sat , NPN Single PCPApplicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power dissipatio

 8.1. Size:50K  sanyo
2sc6092ls.pdfpdf_icon

2SC6094-TD-E

Ordering number : ENA0834 2SC6092LSSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorColor TV Horizontal Deflection2SC6092LSOutput ApplicationsFeatures High speed. High breakdown voltage (VCBO=1500V). Adoption of high reliability HVP process. Adoption of MBIT process.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symb

 8.2. Size:40K  sanyo
2sc6099.pdfpdf_icon

2SC6094-TD-E

Ordering number : ENA0435 2SC6099SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC6099High-Voltage Switching ApplicationsApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter.Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch

Другие транзисторы... 2SC5964-TD-H , 2SC5974 , 2SC5974A , 2SC5974B , 2SC5994-TD-E , 2SC6017-E , 2SC6017-TL-E , 2SC6046 , SS8050 , 2SC6095-TD-E , 2SC6096-TD-E , 2SC6096-TD-H , 2SC6097-E , 2SC6097-TL-E , 2SC6098-E , 2SC6098-TL-E , 2SC6099-E .

History: CHT4403TGP | 2SC1906 | A157A

 

 
Back to Top

 


 
.