2SC6099-E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC6099-E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC6099-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6099-E даташит

 ..1. Size:295K  onsemi
2sc6099-e 2sc6099.pdfpdf_icon

2SC6099-E

Ordering number ENA0435A 2SC6099 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 100V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss

 7.1. Size:40K  sanyo
2sc6099.pdfpdf_icon

2SC6099-E

Ordering number ENA0435 2SC6099 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC6099 High-Voltage Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch

 7.2. Size:401K  onsemi
2sc6099.pdfpdf_icon

2SC6099-E

Ordering number ENA0435A 2SC6099 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 100V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss

 7.3. Size:250K  inchange semiconductor
2sc6099.pdfpdf_icon

2SC6099-E

Другие транзисторы: 2SC6094-TD-E, 2SC6095-TD-E, 2SC6096-TD-E, 2SC6096-TD-H, 2SC6097-E, 2SC6097-TL-E, 2SC6098-E, 2SC6098-TL-E, 2SA1015, 2SC6099-TL-E, 2SC6105, 2SC6114G5GP, 2SC6114T1GP, 2SC6120, 2SC6123, 2SC6123-Z, 2SC6145