MJE13001A1 - описание и поиск аналогов

 

MJE13001A1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE13001A1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.17 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MJE13001A1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13001A1 даташит

 ..1. Size:147K  foshan
mje13001a1.pdfpdf_icon

MJE13001A1

MJE13001A1(3DD13001A1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25 ) 0.8 W C T 150 j T -55 150 stg

 5.1. Size:315K  sisemi
mje13001ah.pdfpdf_icon

MJE13001A1

 5.2. Size:153K  foshan
mje13001a2.pdfpdf_icon

MJE13001A1

MJE13001A2(3DD13001A2) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25 ) 0.8 W C T 150 j T -55 150 stg

 5.3. Size:187K  foshan
mje13001at.pdfpdf_icon

MJE13001A1

MJE13001AT(3DD13001AT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25 ) 0.8 W C T 150 j T -55 150 stg

Другие транзисторы: 2SD2137A, 2SD2144S, 2SD2152, 2SD2173, 2SD2227S, 2SD2318, MJE1123, MJE13001A0, TIP41C, MJE13001A2, MJE13001AT, MJE13001B1, MJE13001C0, MJE13001C1, MJE13001C2, MJE13001CT, MJE13001DE1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.