MJE13001C0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE13001C0  📄📄 

Маркировка: H01C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE13001C0

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13001C0 даташит

 ..1. Size:188K  foshan
mje13001c0.pdfpdf_icon

MJE13001C0

MJE13001C0(3DD13001C0) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit VCBO 600 V VCEO 400 V VEBO 9.0 V IC 0.25 A PC(Ta=25 ) 0.65 W Tj 150 Tstg -55 150 /Electrical chara

 5.1. Size:765K  blue-rocket-elect
mje13001c1.pdfpdf_icon

MJE13001C0

MJE13001C1 Rev.F Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications , , High frequency electronic li

 5.2. Size:170K  foshan
mje13001c1.pdfpdf_icon

MJE13001C0

MJE13001C1(3DD13001C1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit VCBO 600 V VCEO 400 V VEBO 9.0 V IC 0.25 A PC(Ta=25 ) 1.0 W Tj 150 Tstg -55 150 /Electrical charac

 5.3. Size:180K  foshan
mje13001ct.pdfpdf_icon

MJE13001C0

MJE13001CT(3DD13001CT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.25 A C P (Ta=25 ) 1.0 W C T 150 j T -55 150 stg

Другие транзисторы: 2SD2227S, 2SD2318, MJE1123, MJE13001A0, MJE13001A1, MJE13001A2, MJE13001AT, MJE13001B1, 2N5551, MJE13001C1, MJE13001C2, MJE13001CT, MJE13001DE1, MJE13001E1, MJE13001E2, MJE13002DE1, MJE13002DG1